Industrie aktuell

Miniaturisierung, Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie

Infineon0718Infineon bringt mit dem den „Trenchstop IGBT6“ eine neue 1200 V IGBT-Generation auf den Markt. Er erfĂŒllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Als erster diskreter IGBT wird das Bauteil mit Diode auf einem 300 mm Wafer produziert.

Die neue Produktfamilie wurde fĂŒr den Einsatz in hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz optimiert. Typische Anwendungen sind unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Solarwechselrichter, BatterieladegerĂ€te und Energiespeicher.

Der Trenchstop IGBT6 ist in zwei Bauserien erhĂ€ltlich. Die Serie S6 kennzeichnet eine niedrige SĂ€ttigungsspannung V CE(sat) von 1,85 V. Die Serie H6 ist fĂŒr geringe Schaltverluste ausgelegt. Wie in mehreren Anwendungstests bestĂ€tigt, fĂŒhrt der direkte Austausch des VorgĂ€ngerproduktes Highspeed3 durch den Trechnstop IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 %. Der positive Temperaturkoeffizient des Bauteils ermöglicht eine einfache und zuverlĂ€ssige Parallelisierung. ZusĂ€tzlich erlaubt die sehr gute R g-Regelbarkeit eine Anpassung der Schaltgeschwindigkeit des IGBTs an die Anforderungen der jeweiligen Anwendung.


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