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InfineonSechs Partner aus der Halbleiter- und Solarindustrie wollen mit dem vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) geförderten Projekt „Neuland“ gemeinsam neue Wege bei der effizienten Nutzung von Strom aus erneuerbaren Energien gehen. Ziel des Projekts ist es, mit neuartigen Halbleiterbauelementen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid auf Silizium (GaN-on-Si) die Verluste etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern bei der Einspeisung ins Stromnetz um bis zu 50 % zu senken – und das, ohne die Kosten der Anlagen signifikant zu erhöhen.

Die neuen Bauelemente sollen in Zukunft auch in Schaltnetzteilen für Desktop- und Laptop-PCs, für Flachbildfernseher, Server und Telekommunikationsanlagen zum Einsatz kommen und hier ebenfalls die Verluste um etwa die Hälfte senken helfen.

Neuland steht für „Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke“. Das Projekt läuft bis Mitte 2013, die Projektleitung liegt bei Infineon. Es wird vom BMBF auf Grundlage der Hightech-Strategie der Bundesregierung (Programm „Informations- und Kommunikationstechnologie 2020“ (IKT 2020)) im Rahmen der Förderbekanntmachung „Leistungselektronik zur Energieeffizienzsteigerung (LES)“ mit einem Beitrag von etwa 4,7 Millionen Euro bei einer Förderquote von 52,6 % gefördert.

Heute wird das Material SiC bereits in Schottky-Dioden verwendet. Solche SiC-Dioden, die seit etwa zehn Jahren auf dem Markt sind, sorgen dafür, dass bei der Strom- und Spannungswandlung in Schaltnetzteilen deutlich weniger Verluste entstehen. Sie kommen vor allem in Schaltnetzteilen für PCs oder Fernseher, in Solar-Wechselrichtern und Motorantrieben zum Einsatz. Das Material GaN wird derzeit hauptsächlich in weißen Leuchtdioden verwendet. Untersuchungen, inwiefern sich dieses Material für Leistungsanwendungen eignet, begannen im Jahr 2006. Die Neuland-Forschungsarbeiten werden zeigen, für welche Anwendungen GaN-Bauelemente an die Zuverlässigkeit, Einsetzbarkeit und den Kostenrahmen heutiger SiC-Bauelemente heranreichen oder diese übertreffen, um die Energieeffizienz-Vorteile einer geringeren Verlustleistung über die gesamte Palette der Verbraucherelektronik einzuführen.

Das Projektkonsortium umfasst ausgeprägte Expertise zu SiC und GaN über einen sehr großen Bereich der Wertschöpfungskette. Als Anlagenhersteller für die Halbleiterfertigung ist Aixtron vertreten und als Waferhersteller die Unternehmen SiCrystal und Azzurro. Das Bauelemente-Know-how kommt von MicroGaN und Infineon und die Erfahrung zur Systemtechnik im Solarbereich vom Unternehmen SMA Solar Technology.


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Fachmessen im Überblick

ZVEI: Philip Harting

Harting person2

Mit seiner Wahl zum Vorsitzenden des ZVEI-Fachverbands „Electronic Components and Systems“ übernimmt Philip Harting die Ausrichtung eines der wichtigsten Fachverbände der deutschen Elektrotechnik- und Elektronikindustrie. Zeitgleich ist Philip Harting Mitglied im Vorstand des ZVEI – Zentralverband der Elektrotechnik- und Elektronikindustrie. weiter

Schaeffler: José Ramalho

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Michael Söding (55) mit Wirkung zum 1. Januar 2018 zum Mitglied des Vorstandes der Schaeffler AG bestellt. Er übernimmt ab dann auf Vorstandsebene die Verantwortung für das Automotive Aftermarket-Geschäft. Michael Söding ist seit 2009 Vorsitzender der Geschäftsleitung des Unternehmensbereichs Automotive Aftermarket. Der bisherige Unternehmensbereich Automotive Aftermarket wird ab 2018 als dritte Unternehmenssparte ein  eigenständiges Vorstandsressort.

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So Okt 29 @11:00 Infrarot Workshop Veranstalter: Optris und Strategische Partnerschaft Sensorik
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